氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料
，，具有很多优良的性质，，，如其禁带宽度高达6.2eV，，同时具有高击穿场强、
、、高饱和电子迁移率、、、高化学和热稳定性，，，及高导热
、、、、抗辐射等优异性能，
，因此氮化铝是紫外／深紫外LED、、、紫外LD最佳衬底材料，，，，也是高功率、、高频电子器件理想衬底材料
。。。此外，，
，，氮化铝具有优良的压电性
、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数
，，，，是GHz级声表面波器件的优选压电材料。。。

氮化铝的优势

• 直接带隙，，，禁带宽度6.2eV，，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、、、
、高热导率、、、、高绝缘性、、低介电常数、
、、、低热膨胀系数、、、机械性能好、、、、耐腐蚀，，，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），，
，是目前制备各种传感器
、、
、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，，
，化学稳定性好、、熔点高；

• 机械强度高、、电绝缘性能佳
，，，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高，
，，，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率、、、较低的漏电流以及大的击穿场强
，，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，
，，可以和其他器件集成到同一芯片上
；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，，且拥有无与伦比的压电响应，，，，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，
，，，并具有直接带隙，，，是重要的蓝光和紫外发光材料；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，，，传声速度快，，，，是所有无机非铁性压电材料中最高的。。

尊龙时凯成功在硅衬底上制备高质量氮化铝（AlN）薄膜，
，，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜0.9°，，生长面表面粗糙度Ra＜1.5nm（氮化铝厚度200nm）
，，高质量氮化铝薄膜助力氮化镓（GaN)实现大尺寸、、、、高质量
、、、、低成本制备。。