热管理在当代电子系统中至关重要，，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。。然而，，开发一种能够充分利用金刚石的高导热性、、、承受高温退火工艺并实现大规模生产的技术是一项重大挑战。。。近日，，，，大阪公立大学副教授梁剑波做了“增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，，以适应实际器件应用”的主题报告，，，，分享了最新研究成果。。。涉及晶体生长法在金刚石上生长GaN、、、金刚石结构上的晶片键合GaN、、键合第一器件制造工艺、、、、表面活性键合制备Si/金刚石界面、、、金刚石衬底上GaN高电子迁移率晶体管的制备等内容。。。
报告指出，，，，采用SAB法将硅衬底上生长的AlGaN/GaN/3C-SiC薄膜有效地转移到金刚石衬底上，，，，并在金刚石衬底上成功地制备了GaN-HEMT。。结合界面表现出非凡的坚固性，，，能够承受各种器件制造工艺。。。。3C SiC/金刚石界面处的热边界电导测量值为119 W/m2∙K，，，，这标志着比当前标准有了显著进步。。GaN HEMT o金刚石由于其高效的散热特性而表现出优异的输出特性。。。
其研究展示了在Si上生长的 AlGaN/GaN/3C-SiC 层成功转移到大尺寸金刚石基板上，，，然后在金刚石上制造GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)。。值得注意的是，，，，即使在 1100 °C退火后也没有观察到3C-SiC/金刚石键合界面的剥落，，，，这对于金刚石上高质量的GaN晶体生长至关重要。。。。3C-SiC-金刚石界面的热边界传导代表着相对于当前技术水平的重大进步。。与 Si 和 SiC 衬底上制造的GaN HEMT 相比，，，在金刚石衬底上制造的 GaN HEMT 具有最大漏极电流和最低表面温度。。此外，，，与其他类似结构相比，，，金刚石衬底上的 GaN HEMT 与 SiC 相比热阻降低率最为显着。。这些结果表明，，，，金刚石技术上的 GaN/3C-SiC 具有巨大的潜力，，可以彻底改变电子系统的开发，，，，并提高热管理能力。。。。
对标世界一流，，攻克“卡脖子”技术，，，，尊龙时凯在我国率先推动金刚石与GaN结合取得实质性突破与进展，，现提供GaN on Diamond、、、、Diamond on GaN以及GaN&Diamond键合所需高质量晶圆级金刚石热沉片（生长面表面粗糙度Ra＜1nm)，，，，热导率达1000-2200W/m.K。。目前，，，金刚石宽禁带半导体材料已实现产业化应用。。
