电子芯片、、、、激光、、雷达系统、、先进射频系统、、、、大功率发光二极管等电子器件的集成化、、、小型化、、、、高性能的快速发展使得器件内部热流急剧上升，，，，从而降低了器件的寿命和可靠性。。。。因此，，，有效的冷却系统对于尖端技术的发展至关重要。。。。而金刚石因其显著特性包括极高的导热系数、、、、无与伦比的机械强度和高载流子迁移率，，，其已成为嵌入式冷却模式的理想散热材料。。而实际应用中，，，，材料导热性能往往会受到热应力的影响，，，，当材料在热应力作用下发生形变甚至相变时，，材料的热导率亦会发生变化，，，，这可能导致更严重的热应力。。。
应变作用下金刚石的结构变化如图1(a)所示。。。图1(b)和(c)的计算结果显示了应力作用下金刚石碳之间的键长和键角随因变量ε的变化。。。
图1金刚石应变:(a)金刚石应变示意图;(b)键长随应变的变化;(c)键角随单轴应变的变化。。。。
图2，，，金刚石各向同性应变-κ关系
图3，，金刚石的应变-κ关系:(a)单轴压缩应变;(b)单轴拉伸应变
图4显示了键角与κ的关系。。在<100>晶方向上，，，键角的增大表示从拉伸到压缩的转变，，，，而在<010>晶向上则相反。。。金刚石的零应变键角为109.47deg。。无论键角是增加还是减少，，，如前所述，，κ先增加后减少。。。。通过比较两个晶向的κangle~φ，，，可以观察到在单轴应变过程中，，，不同晶体方向的键角与导热系数的关系是不同的。。。换句话说，，单个键角不能唯一地确定特定的κ值(即κ_angle≠f (φ215))，，，它可能需要多个键角的组合(即κ_angle= f (φ215，，，，φ213))。。因此，，，单独的键角对金刚石中κ的影响不像键长那样系统，，且具有更大的复杂性。。。一般来说，，，静水应变对κ影响的幂律关系基本适用于晶体体系，，而κ_angle~φ的变化规律因材料而异。。。。这可能是未来研究的一个有前途的方向。。。
图4，，，，键角与导热系数的关系
图5(a)显示，，在各向同性压缩到拉伸应变的转换过程中，，，，高热贡献声子的频率单调增加。。从图5(b)可以看出，，，在单轴拉伸下，，，无论应变大小，，，，键角的变化都只会增加低频声子的热贡献。。。。在单轴应变较小的情况下，，，，热积累曲线主要受键角的影响，，此时键长变化较小。。。在大单轴应变下，，，，与单独考虑键角变化相比，，，大多数贡献κ的声子向更高频率移动，，，这与图5(a)中发现的键长增加高频声子热贡献的规律一致;这一发现证实了先前的结论，，即单轴应变的影响受键角和键长叠加的影响。。。
图5，，金刚石的归一化累积导热系数κ_acc/κ_ε: (a)各向同性; (b)单轴应变
各向同性应变主要通过改变键长影响κ;单轴应变改变了键角和键长。。。阐明了键角和键长变化叠加引发κ变化的机制。。基于键角的变化，，，，单轴应变下的κ由键长变形指数与κ之间的幂定律给出。。。。单轴应变下，，，考虑键长和键角的协同作用，，，κ呈非单调变化; 然而，，在压缩过程中，，，，κ先是快速增加，，，，然后缓慢增加。。。。声子数据表明，，，大单轴应变下键角的变化分离了TA1和TA2分支，，，，增加了声子散射通道的数量; 然而，，，非谐波IFCs的减弱降低了声子-声子的本征散射，，导致总体散射率的变化很小。。。。此外，，，，三个声学分支中的声子群速度要么增加(LA, TA2)，，，，要么减少(TA1)。。。。这些因素结合在一起，，确保键角的变化只会引起导热系数的微小变化。。。当各向同性压缩变为拉伸应变时，，，热贡献较大的声子频率增加。。键角主要影响(即增加)低频声子的热贡献。。。
探索键长、、、、键角与材料导热系数之间的关系，，，对于快速预测应变材料的热性能具有重要的工程意义和科学价值。。实现这一目标的关键是确定键角与导热系数关系的普遍规律。。然而，，键角与导热系数之间关系的复杂性给其研究带来了挑战。。
金刚石是优秀的导热、、、、散热材料，，，较于陶瓷氮化铝热导率只有320W/m.K，，，，金刚石铜复合片热导率500-600W/m.K，，，，金刚石热沉片的热导率高达1000-2200W/m.K。。尊龙时凯已有TC1200，，，TC1500,TC1800,TC2000四款标准产品，，，应用于5G通讯、、、、新能源汽车、、、、新能源光伏、、、激光器、、、大功率LED、、、医疗器械、、、、航空航天及军工等领域。。。
