为退烧而生的金刚石热沉片，，，
，半导体性能究竟有多牛？？？

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，
，，，它是继硅（Si）、、砷化镓（GaAs）、、磷化铟（InP）、、氮化镓（GaN）等之后的重要半导体材料之一
，，
，，可用于重要的半导体器件，，，其优异的性能可归纳如下
：

（1）极高的介质击穿特性
：击穿电场为107V/cm，
，，，是GaAs材料的50倍，，，GaN材料的2倍，，，，SiC材料的2.5倍。。。。

（2）极高的功率容量：金刚石容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上
；特别适合制作大功率电子器件
。。。。

（3）极高的热传导
：室温下金刚石具有最高的热导率，，是铜的5倍。。。。

（5）高饱和载流子速度：金刚石的饱和载流子速度是GaAs、、、Si或InP的12.7倍，
，而且载流子速度比GaAs的峰值还要大，，即在电场强度增加时也可维持其高的速率。。。

（6）高载流子迁移率：无论是电子迁移率还是空穴迁移率都优于其他半导体材料，，
，，金刚石电子迁移率为4500cm2/（V·s），，，而Si为1600cm2/（V·s），，GaAs为800cm2/（V·s），，GaN为600cm2/（V·s）；金刚石的空穴迁移率为3800cm2/（V·s），，而Si为600cm2/（V·s），，GaAs为300cm2/（V·s），
，，
，GaN小于50cm2/（V·s），
，因而，，金刚石可以制作高频电子器件。。（7）极高的品质因数：通常，
，，品质因数由饱和载流子速度和介电强度确定。。如以Si的品质因数为1作为基准，
，，那么GaAs的品质因数为7，，InP的品质因数为16，，，
，SiC的品质因数为1138，
，，金刚石的品质因数为8206。
。当其品质因数用于判断逻辑电路的潜力时
，，，介电常数、、、饱和载流子速度和热导率是判据，，如Si的判据为1，，
，则GaAs为0.456，，，，SiC为5.8，，，，金刚石为32.2
，，因此，
，在理论上，，，
，金刚石最适合于集成电路使用。。。。

（8）优良的光学特性：金刚石不仅具有优异的电学特性，，，，而且有优良的光学特性
。。金刚石除在紫外和红外的某些波段存在本征吸收外，
，在整个光谱波段（紫外、、可见光、
、红外）均透明，，，并有不寻常的高折射率，，，因此，，，金刚石是最理想的光学窗口材料。。。
。

（9）极高的硬度和极高的化学稳定性：金刚石不仅具有结构致密、、
、耐磨、、、低摩擦因数和极高的硬度
，，而且在大多数环境下都是绝对稳定
，
，，耐化学腐蚀的。
。
。

金刚石不仅有上述优越的性质，，，更重要的是其各种性质的组合，，，，使得它成为最重要的第三代半导体材料之一，，这也是人们热衷研究半导体金刚石的原因和意义。
。。。由于金刚石的固有特性和天然金刚石的稀有性，
，，其加工制造技术十分困难，，，尤其是制造出满足电子学和光学应用的半导体金刚石，，目前尚存在许多问题，，为此
，
，
，，需要花大力气研究它的制造加工技术
。。

金刚石最常见的应用是作为热管理材料，，在功率器件、
、、
、电子器件中作为热沉
。
。。。热沉是把器件产生的热量迅速吸收和发散，，，，用金刚石薄膜作热沉时
，
，，
，要求具备以下特点:

·热传导率大

·电气绝缘性好

·热膨胀系数与器件材料的膨胀系数基本相同

·介电常数小

·与热传导性、、、、电传导性优良的金属的粘附性好

·化学性质稳定

·表面平滑性好

尊龙时凯团队
，，引领全球技术革新，，，
，在CVD金刚石工艺上取得了较大进展，，，，CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm，，
，完全符合半导体应用标准。。。CVD金刚石作为卓越的热管理材料，，，金刚石热沉片在诸多重要领域都有广阔的应用前景。。
。。