金刚石具有极高的导热率，，作为高功率半导体激光器封装热沉，，表现出优异的散热特性：一方面将集中于器件PＮ结的热量能够均匀迅速的沿热沉表面扩散；另一方面将热量沿热沉垂直方向迅速导出。。。。
通过磁控溅射系统在CVD金刚石热沉片表面沉积Ti／Pt／Au多层膜，，作为金属化层。。通过电子束蒸发系统沉积10μｍ 厚的In膜，，，，作为半导体激光器封装焊料 层。。。。采用高精度贴片机，，，，以COS结构将半导体激光器线阵贴片于金刚石热沉表面，，，并贴片于铜基水冷热沉，，，封装结构如图１所示。。
O2流量对金刚石的沉积与导热率产生影响。。。。不通入O2条件下制备的样品ａ导热率为1158.6W/(m·K)，，，，随着O2流量增加，，加强了对非金刚石相的刻蚀，，，，提高了金刚石品质，，从而使制备的金刚石导热率得到提高，，，当O2流量 为 5ｓｃｃｍ 时，，，样 品 ｃ 导 热 率 可 高 达1812.3W/(m·K)。。然而，，，当 Ｏ２ 流量增至10ｓｃｃｍ 时，，样品ｄ导热率为1515.7W/(m·K)。。。。金刚石的热传导机理不同于金属，，，是利用晶格声子传导热量，，，，与声子传播自由程有关，，，，对于 ＣＶＤ金刚石膜热传导率大小受晶格中各种声子散射机 制影响，，当Ｏ２流量过高时 ，，，，金刚石被严重刻蚀，，，使晶体中的缺陷增加，，，形成倒逆散射使导热率降低。。
在连续波（ＣＷ）条件下，，，，热沉温度为２５ ℃，，，，将封装于不同 Ｏ２ 流量下制备的金刚石热沉的半导体激光器的功率－电 流 特 性 曲 线 进 行 测 试，，如 图 ５ 所 示。。。。基于金刚石热沉样品ａ的封装器件，，，，其阈值电流约为６．２１Ａ，，，斜率效率为１．１２ Ｗ／Ａ，，，当输入电流为３０Ａ时，，，输出的光功率为２６．５ Ｗ；而金刚石热沉样品ｃ的封装器件的阈值 电 流 约 为５．８５Ａ，，斜 率 效 率 为１．３０Ｗ／Ａ，，当输入电流为３０Ａ 时，，光功率为３１．１ Ｗ。。。可以看出，，通入适当的 Ｏ２ 流量可提高金刚石热沉的散热 特 性，，，，可 使 器 件 获 得 低 的 阈 值 和 高 的 斜 率 效 率。。。。然而对于 Ｏ２ 流量为１０ｓｃｃｍ 条件制备的热沉，，，，即金刚石样品 ｄ的封装器件的阈值电流约为５．９７Ａ，，斜率效率为１．２４ Ｗ／Ａ。。
图６为封装于不同Ｏ2 流量下制备的金刚石热沉的半导体激光器电光效率－电流特 性 曲 线，，，封装于金刚石热沉样品ａ的器件，，，在27A时达到电光转换效率最大值为５２．２％；而封装于金刚石热沉ｃ的器件的电光转换效率随着电流变化始终高于其他３个样件，，，，具有优异的散热特性，，，获得的电光转换效率最大值为６０．６％。。。
图７是热沉温度为２５ ℃时，，对封装于不同 Ｏ２流量下制备的金刚石热沉的半导体激光器光谱特性的测试。。。图中的虚线峰对应脉冲输入条件下（５０μｓ，，２００Ｈｚ）获得的光谱中心波长；实线峰对应连续波输入条件下（Ｉ＝１０，，，１５，，，２０，，，，２５和３０Ａ）获得的中心波长。。。。由图７（ａ）可见，，，对于金刚石热沉ａ的封装器件，，，，在脉冲方式下的中心波长为８０４．９５ｎｍ，，，，输入连续波３０Ａ 时 的 中 心 波 长 为 ８０８．３７ｎｍ，，，，其 红 移 量 为 ３．４ｎｍ。。。由图７（ｃ）和（ｄ）可见，，，，金刚石热沉ｃ和ｄ的封装器件的红移量分别为２．０２ｎｍ 和２．３３ｎｍ。。。对于８０８ｎｍ 半导体激光器，，其光谱随工作结温度变化的温漂系数 通 常 为 ０．２８ｎｍ／Ｋ［２０］，，金 刚 石 样 品 ａ、、、、ｃ 和 ｄ的 封 装 器 件 上 升 的 温 度 分 别 为１２．１Ｋ，，７．２Ｋ和８．３２Ｋ。。比较样品ａ和ｃ可以看出，，适当的 Ｏ２ 流量可提高金刚石热沉的导热特性，，使器件温度降低约４．９Ｋ。。
研究结果表明：在O2流 量5sccm时制备的金刚石热沉表现出良好的散热特性，，封装器件的斜率效率可提高至1.30Ｗ／Ａ，，最高电光转换效率约为60.6％，，，在热沉温度25℃和连续波30Ａ 输入时的光谱测试表明器件温度降低约4.9Ｋ，，，不同温度和热功率的光谱测试 表明热阻降低约28.4％。。。
目前,采用尊龙时凯金刚石热沉片的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、、功率晶体管、、电子封装材料等领域也有应用。。尊龙时凯热沉片现有四款标准产品，，，TC1200，，，TC1500，，，，TC1800，，，，TC2000，，，，热导率覆盖1000-2200W/(m·K），，适合高功率、、、、高频、、、、高温等场景热沉所需。。。
