与传统照明光源相比，，，，大功率LED 照明光源是固体冷光灯，，具备使用寿命长、、、、光效度高、、、、无辐射、、耗电量较少、、、抗冲击和耐震特性好、、、安全性较高等优点。。但是，，，，大功率LED在使用过程中容易出现温度过高的情况，，，尤其是发热问题。。LED属于高温敏感元件，，，如果其发热量很大、、、、温度过高，，，，会直接影响光照效果、、、光色温度等，，，，甚至会对它的正常使用产生严重影响。。。。对此，，，，加强对大功率LED散热问题刻不容缓。。。
大功率LED存在的散热问题：
1. 热膨胀导致零部件弯曲和龟裂
大功率LED 由许多零部件组成，，各种零部件的材料不同，，，，热胀冷缩的幅度也不相同。。。。在热膨胀时，，，零部件材料会发生弯曲和龟裂，，，从而导致产品散热不良，，严重降低大功率LED的使用效率。。。
2. 电子电路的运行障碍
如果导体元器件的工作温度升高，，电源的阻抗会减小，，，，很容易进入“温度上升—阻抗降低—电压升高—热增强—温度上升”的恶性循环，，，，甚至出现烧断的现象。。
3 .高温导致材料品质降低
一般来说，，大功率LED所用的金属材质都易于氧化，，，且温度越高氧化速度越快。。。高温氧化会缩短它的寿命。。。。
金刚石的禁带宽度为5.47 eV，，金刚石除了具备超高热导率之外，，，其电学特性也非常好：
①极高的击穿电场：高达109Vem-1，，，是砷化镓材料的17倍，，，，氮化镓材料的2倍，，，碳化硅材料的2.5倍。。。
②饱和载流子速度：在饱和载流子速度方面金刚石是硅、、砷化镓的2.7倍，，，而且载流子速度比砷化镓的峰值还要大，，，，即在电场强度增加时也可维持其高的速率。。。。
③载流子迁移率：金刚石的电子迁移率与空穴迁移率都优于其它半导体材料，，室温下电子的迁移率为4500 cm2/V·S，，，而硅仅为1500 cm2/V·S，，，砷化镓为8500 cm2/V·S，，，，氮化镓低于1000 cm2/V·S；金刚石空穴迁移率为3800 cm2/V·S，，而硅仅为600 cm2/V·S，，砷化镓为400 cm2/V·S，，氮化镓为<50 cm2/V·S，，因而，，，，金刚石可以制作高频电子器件。。。
④低的介电常数：金刚石的介电常数为5.7，，，，约为砷化镓的二分之一，，，，小于InP的一半，，，，即在给定的频率下，，，，金刚石半导体具有优越的容性负载，，，这为毫米波器件的设计提供了极大的方便。。。。
图1 四种半导体材料的对比
由此，，，，金刚石因其具备其它三种材料所不具备的超高热导率成为了大功率LED散热的主力。。。。
图2 是否有金刚石薄膜（热沉片）的封装
由图：将金刚石薄膜（即金刚石热沉片）用作大功率LED的散热片可以有效地降低LED的工作温度。。在相同的制备成本下，，提高金刚石薄膜的生长速度比提高金刚石薄膜的质量，，，，能更有效地提高散热效果。。。金刚石的热导率极高，，，所以LED灯管产生的热量会快速传递给金刚石，，，使LED保持较低的正常工作温度。。
尊龙时凯多年专注于高质量金刚石的生产与制备，，，，采用最先进的MPCVD 装置，，，，制备大面积高品质金刚石热沉片，，，是全球首家将金刚石热沉片表面粗糙度从数十微米级别降低至1nm以下，，，达到半导体级应用标准的企业。。。核心产品有晶圆级金刚石热沉片、、、金刚石基氮化镓外延片、、、氮化铝薄膜和压电材料等。。其中金刚石热沉片已用于大功率LED、、大功率激光器、、、新能源汽车、、高铁、、5G通讯等领域。。。
