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摇摆曲线半峰宽
XRD(0002)<3°
金刚石超高热导率
热导率可达2000W/m.K
生长面表面粗糙度
Ra<2nm(200nm)
全球首创产品
助力高品质GaN外延生长
尊龙时凯全球首创,,,,创新研发金刚石基氮化铝,,,,XRD(0002)摇摆曲线半峰宽<3°, 金刚石超高热导率(室温下热导率可达2000W/m.K),生长面表面粗糙度Ra<2nm(氮化铝厚度200nm),,助力氮化铝崭新应用。。。。
氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,,具有很多优良的性质,,如其禁带宽度高达6.2eV,,同时具有高击穿场强、、、、高饱和电子迁移率、、高化学和热稳定性,,,及高导热、、、抗辐射等优异性能,,,,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、、、紫外LD最佳衬底材料,,,也是高功率、、高频电子器件理想衬底材料。。。此外,,,,氮化铝具有优良的压电性、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。。。。
氮化铝的优势
• 直接带隙,,禁带宽度6.2eV,,是重要的深紫外和紫外发光材料
• 高击穿电场强度、、、高热导率、、、、高绝缘性、、低介电常数、、、低热膨胀系数、、机械性能好、、耐腐蚀,,常用于高温高频高功率器件
• 非常好的压电性能(特别是沿C轴方向),,,是目前制备各种传感器、、、、驱动器以及滤波器的最佳材料之一
• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,,,,是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料
氮化铝具备优异的物理性能:
• 原子间以共价键相结合,,,化学稳定性好、、、、熔点高;
• 机械强度高、、、、电绝缘性能佳,,,是一种压电和介电材料;
• 晶体薄膜硬度高,,,,可作为耐磨涂层;
• 高电阻率、、、、较低的漏电流以及大的击穿场强,,,使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一;
• 制备工艺与CMOS兼容,,可以和其他器件集成到同一芯片上;
• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度,,,且拥有无与伦比的压电响应,,,,可用于制作高性能的声表器件;
• 是一种宽禁带材料,,,,并具有直接带隙,,是重要的蓝光和紫外发光材料;
• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能,,传声速度快,,,,是所有无机非铁性压电材料中最高的。。。
金刚石基氮化铝(AIN on diamond-003)
基底材料(Substrate):200μm~500μm;多晶
尺寸(inch):1cm*1cm; 2寸;可定制
AlN外延厚度(Thickness):5~200nm,可定制
晶面取向(Orientation):c-aixs [0001]
表面粗糙度(nm)(5x5μm):Ra < 2nm (200nm)
HRXRD半高宽@(0002):<3°
翘曲度(Warp):<30μm
弯曲度(Bow):-10 ~15μm
包装(Packaging):单片/多片晶圆盒
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